Вт июл 26, 2016 21:22:21
Вт сен 27, 2016 11:12:58
Пн окт 03, 2016 05:22:56
Ср окт 12, 2016 14:29:38
Чт окт 13, 2016 10:49:53
Ср фев 01, 2017 05:26:13
Пт фев 10, 2017 05:23:31
Сб фев 25, 2017 19:50:10
Чт мар 02, 2017 10:59:46
Пн апр 10, 2017 19:00:09
Пн май 22, 2017 15:13:38
Сб июн 03, 2017 06:10:55
Сб июн 03, 2017 08:06:53
Ср июн 28, 2017 18:47:28
6. Автоматическое определение N-P-N и P-N-P биполярных транзисторов, N- и P-канальных MOSFET транзисторов, JFET транзисторов, диодов, двойных диодов, тиристоров и симисторов.
Для тиристоров и симисторов уровень открытия должен быть досягаем для тестера.
Для IGBT транзисторов сигнал 5 V должен быть достаточным для открытия транзистора
Вс июл 09, 2017 16:30:48
Сб июл 22, 2017 17:06:32
Вс авг 06, 2017 12:30:29
Вс окт 01, 2017 11:20:08
Чт янв 18, 2018 11:07:41
Вт мар 06, 2018 05:07:18