Схема включения транзистора - общий эмиттер , медленно закры

[>TEHb<]

alkis3, разгонял биполяры, было дело. Есть некоторое понимание. Но попрошу таки нарисовать схему, а то в текстовом описании со всеми поправками и нюансами запутался.

[КРАМ]

Автор категорически против схем.
А попросить фото монтажа схемы с присоединенными щупами я даже и не мечтал. Настолько все запущено... Обсуждать слепые фото с экрана осциллографа - совершенно беспонтовая задача.

[Динозавр]

>TEHb<, КРАМ,---Коллега немного попутал:---
При открытом транзисторе на аноде Si диода 0,6+0,6 =1,2 В.
С этой же точки через анод-катод шоттки избыток тока ДЛЯ базы уходит в коллектор, на котором установится 1,2-0,3=0,9 В.
Чаще оба диода однотипные, тогда на коллекторе 0,6 В (Ub=Uc), что тоже не плохо.
На реальной осциллограмме время рассасывания видно отчётливо , а на симуляции едва заметно.
Время заряда ёмкости коллектора видно хорошо, возможно модель не точна?
Трудно быстро вывести носители из базы , которая имеет заметное омическое (продольное) сопротивление.
Даже через шоттки и нулевое сопротивление источника.

Последний раз редактировалось Динозавр Пт дек 16, 2022 19:56:01, всего редактировалось 1 раз.

[>TEHb<]

Динозавр, с некоторыми транзисторами прокатывает просто обычный кремниевый диод прямо с базы прямо на коллектор. Это те, где супернизкое напряжение насыщения. Причём тем меньше, чем меньше ток коллектора, то есть это играет нам на руку.
Собственно, затем схему и прошу. Способов-то уйма!

[КРАМ]

Динозавр писал(а):

С этой же точки через анод-катод шоттки избыток тока ДЛЯ базы уходит в коллектор

Вообще то разговор шел о предложенном вами КРЕМНИЕВОМ диоде с источника сигнала на базу. А совсем не про базу-коллектор.

alkis3, Для быстрого закрывания транзистор не должен входить в насыщение никогда .
Для этого диод кремниевый последовательно с базой....Кремниевый диод можно зашунтировать 10-100 пикоФ.

Таким образом, вы предложили по сути превратить пушпульный источник сигнала в однотактный. То есть ликвидировать низкоомную цепь реализующую наилучшие условия рассасывания базы.
Ну и предполагать неточную модель из стандартной библиотеки в Микрокапе выглядит очень самонадеянно....
ЗЫ. Шоттки с базы на коллектор приведет к увеличению падения напряжения на КЭ в открытом состоянии. Что далеко не всегда допустимо. Если учесть, что автор не изложил свои реальные цели, разговоры носят исключительно академический интерес. А это означает, что можно простым выбором режима получить тоже самое БЕЗ ШОТТКИ.

[Динозавр]

КРАМ, --- ликвидировать низкоомную цепь реализующую наилучшие условия рассасывания базы.---
Диод зашунтировать конденсатором 1000 пФ при желании.
---можно простым выбором режима получить тоже самое БЕЗ ШОТТКИ.---
С шоттки стабильно, надёжно.
--- Ну и предполагать неточную модель из стандартной библиотеки в Микрокапе выглядит очень самонадеянно.... ---
На вкладке свойств транзисторов (кнопка Plot) , если приглядеться к графикам. то много одинаковых (абсолютно), что подозрительно. Проект открытый , много авторов (разных).

[КРАМ]

Динозавр писал(а):

Проект открытый , много авторов (разных).

Это с какого перепуга? Тот факт, что проект завершен и лицензия стала бесплатной ничего не говорит о его открытости и множестве авторов. Это ПРОПРИЕТАРНОЕ ПО.

Динозавр писал(а):

Диод зашунтировать конденсатором 1000 пФ при желании.

Я даже не понимаю как это комментировать...
В чем смысл этого диода? Он не влияет на коэффициент насыщения практически никак.

Динозавр писал(а):

На вкладке свойств транзисторов (кнопка Plot) , если приглядеться к графикам. то много одинаковых (абсолютно), что подозрительно.

Какое отношение выходные ВАХ имеют к скоростным свойствам транзистора? Все о чем эти ВАХ - это про коэффициент передачи по току.

[Динозавр]

КРАМ, ---Какое отношение выходные ВАХ имеют к скоростным свойствам транзистора?---
Там же есть и графики зависимости Beta vs. Frequency.
Диод в базе поддерживает Uколл Больше чем Uбазы (запас для нормального Активного режима).
Шунтирующий его конденсатор при пуш/пуле обеспечит отрицательный выброс -0,6В на базе при закрывании.

[КРАМ]

Динозавр писал(а):

Диод в базе поддерживает Uколл Больше чем Uбазы

Это каким таким образом?
Разговор шел о кремниевом диоде включенном последовательно от источника сигнала к базе, а не о Шоттки между базой и коллектором. Это практически никак не изменит базовый ток. Зато лишит базу возможности рассосать объемный заряд через низкое выходное сопротивление источника сигнала.

Добавлено after 3 minutes 52 seconds:

Динозавр писал(а):

Там же есть и графики зависимости Beta vs. Frequency.

И что? Это малосигнальные характеристики. К переключательному режиму они тоже отношения не имеют. Параметры spice-модели - это большой список приведенный в открывшемся окне и без всякого plot.



ЗЫ. В догон, для вашего пущего понимания. Разработчик Микрокапа не высасывал из пальца параметры спайс-моделей туевой хучи библиотечных элементов. Все параметры берутся у производителей элементной базы. Они доступны на сайтах производителей вместе с даташитами и прочими документами.
Например:
https://www.diodes.com/design/tools/spice-models/
ЗЗЫ. Нынче практически любая серьезная разработка подразумевает не пайку макетов, а симуляцию. Хотя бы потому, что оборудование для просмотра сигналов на осциллографе может стоить запредельных денег.
Так дифференциальный пробник для вполне китайского Ригола выглядит так: https://www.rurigol.ru/e-store/index.ph ... D=11132120
А токовый пробник для него же так: https://www.rurigol.ru/e-store/index.ph ... D=11132098
Поэтому симуляция тупо позволяет наблюдать самые сложные сигналы в схеме.

[Динозавр]

КРАМ, Виноват. Лучше 1 раз увидеть чем 3 раза прочитать.
Про симуляцию понимаю, но осциллограмме доверяю.

Вложения

Безымянный.gif

(4.81 KiB) Скачиваний: 56

[КРАМ]

Чтобы доверять осциллографу, нужно очень хорошо понимать физику не столько схемы, сколько ее топологии. Точнее, эквивалентной схемы. Даже у очень хороших профессионалов это вызывает трудности. А убрать из реальной схемы неявные паразитные компоненты практически невозможно.
Такшта еще вопрос, что ближе к истине - реальное измерение или симуляция.

[>TEHb<]