Схема включения транзистора - общий эмиттер , медленно закры

Разница в потребном времени. В вашем случае нужно менее 100 нс. И без всяких Шоттки это время получается на обычном копеечном транзисторе общего применения. Проблема рассасывания тока базы к проблеме емкости нагрузки никакого отношения не имеет. Ибо транзистор закрывается за прежние менее 100 нс.

Так,сори за спор.Проверил на осциле с нагрузкой 10ком и 150 ом ,результат есть и очень существенный.Думаю вопрос исчерпан .Спасибо за помощь.

alkis3 писал(а):

с нагрузкой 10ком и 150 ом ,результат есть и очень существенный.

В этом случае существенно изменяется и коэффициент насыщения. Увеличивая номинал резистора в коллекторе, следует уменьшать ток базы, сохраняя коэффициент насыщения немногим более 1. Это безотносительно постоянной времени заряда емкости в нагрузке....
Я же вас предупредил, сначала вы изучаете теорию работы биполярного транзистора и только потом поймете что на что влияет.
ЗЫ. Поставьте себе Микрокап 12 и можете экспериментировать без всяких осциллографов и пайки.

Так я первым делом и пошел читать теорию по запросу время закрытия биполярного транзистора,и в статьях говорилось именно о времени рассасывания заряда,про влияние ёмкости я в них ничего не находил,как собственно про это ничего не сказано и в англоязычной,которую я привел.
То ест если бы в статьях было указано что и время рассасывания заряда влияет и ёмкость,я бы сказал -окей,значит надо в расчет брать ещё и ёмкость.

И от схемы включения и от обвязки зависит, есть у меня книга по этому делу, чтобы достичь наносекунды, там обвязка транзистора нехилая нужна

alkis3 писал(а):

пошел читать теорию по запросу

Это прикольно... :)))

Теорию "по запросу" не изучают. Теорию изучают с азов.

Разновидность очередного "вечного" двигателя.

Сложность доказательства "идей фикс" в том, что предубежденнлг на такой идее человека проще всего будет папаше Мюллеру..

Я не первый день в электронике в общем то и азы мне известны,ну это так уж отвечаю ,сам не знаю для чего,в благодарность за помощь..смысла наверное говорить и мериться знаниями далее нет,я ненавижу это дело на самом деле и не понимаю для чего кто то чужому человеку говорить о том что он знает или нет.То есть каждый занимается своим делом,например в моих задачах не было потребности использовать транзисторы на частотах выше 1мгц,вот теперь такая задача появилась,а дело каждого подсказать когда спрашивают или промолчать если нету ответа или желания помогать.Собственно тему можно закрыть думаю,т.к вопрос решен.спасибо за помощь.

Еще одна проблема выявилась ,на разных транзисторах тоже наблюдаю ,причем у каждого свое время задержки.Ну для примера назову один из транзисторов mpsa92.
Схема та же,общий эмиттер,нагрузка на выходе резистор 300 ом,вход у схемы это резистор идущий на базу ,тоже 300 ом,саму схему привести не могу,сейчас у меня нету компьютера.Вход подтянут к плюсу питания через резистор опять таки 300 ом,то есть по умолчанию транзистор закрыт. Так же между входом и минусом стоит кнопка.
Работает это все так-"кнопка нажимаеться-транзистор открывается,кнопка отпускается -транзистор запирается".
Осцил подключен одним каналом ко входу другим к выходу,когда кнопка нажимается ,сигнал на выходе появляется одновременно с сигналом на входе.Сам переход из закрытого состояние в открытое длиться не более 50 нс.
Проблема состоит в закрытии транзистора,а именно транзистор выдерживает паузу после отпускания кнопки.Происходит это так-допустим кнопка отпускается,на осциле видно ,что сигнал на входе изменился за время около 20нс(может меньше) и далее не меняется,то есть на входе был крутой фронт,на выходе при этом ничего не происходит в течении времени от 200 нс до нескольких микросекунд в зависимости от транзистора.Вот на время этой паузы,бывает что транзистор как будто даже чуть чуть больше приоткрываеться ,затем после паузы транзистор запирается за достаточно короткое время,примеино 50-100нс.
Я предположил ,что паузы вызвана ёмкостью базы,подумал вероятно в момент отпускания кнопки,ток непосредственно на самой базе возрастает постепенно в течении времени этой паузы,но осцил показал ,что сигнал на входе и на базе по форме ничем не отличаются.В чем причина данной задержки?

Ровно та же причина. Большой ток базы, маленький ток коллектора.

alkis3, ---Я предположил ,что паузы вызвана ёмкостью базы,---
Вместо предположений прочитать (например в Хоровиц и Хилл) про Рассасывание носителей в базе , при выходе транзистора из насыщения.

Вот график с осцила,не очень видно,камера плохая.Желтый график это сигнал с базы транзистора,синий с выхода.Резистор нагрузки 60 Ом,куда уж меньше?Ток уже 200 ма,резистор греется.Резистор на входе 560 ом и вход притянут к плюсу таким же резистором,транзистор ksp2907a.
По графику видно,что в момент отпускания кнопки на базе резко меняется напряжение до определенного уровня,затем этот уровень сохраняться в течении 220 нс,в это время транзистор открыт,далее напряжение на газе снова начинает увеличиваться и именно в этот момент начинает запираться транзистор.

Вопрос в том ,что это за момент ,где напряжение на базе перестает расти,и почему рост возобновляется через 220 нс при этом начинает закрываться транзистор,что это за состояние?

Опытным путем мне удалось избавиться от паузы,зашунтировав входной резистор кондером на пару нан,и ограничив ток кнопки резистором на 1 ком ,НО теперь он супер медленно открывается,за 1 мили секунду,а мне нужно чтоб он и открывался быстро и быстро закрывался.

Добавлено after 1 minute 17 seconds:
Re: Схема включения транзистора - общий эмиттер , медленно закры
А я говорил про рассасывания зарядов в базе,мне сказали тут что это чушь,вы ранее перечитайте тему,что тут было сказано.

Добавлено after 15 minutes 46 seconds:
Re: Схема включения транзистора - общий эмиттер , медленно закры
Большего размера фотку не могу вставить

Вложения

Screenshot_20221214-200535_20-13-37.jpg: (49.38 KiB) Скачиваний: 52

alkis3, ---мне сказали тут что это чушь,вы ранее перечитайте---
Вы ВЕРИТЕ сказанному , а надёжнее САМОМУ изучить вопрос по Умным Книжкам.
Эх, в моё время да такой осциллограф бы !

Нет,книжку я читать буду индивидуально сам,без вас,паралельно форуму.Меня интересует вопрос с разных сторон с точки зрения и теории,то есть книги и опыта людей,по этому я задаю вопрос на форуме.

Добавлено after 2 hours 40 minutes 31 second:
Re: Схема включения транзистора - общий эмиттер , медленно закры
С этим кто-то реально работал,может опытом поделиться?
Суть такова,много поэкспериментировав картина вырисовывается следующая.Можно сделать так что бы транзистор очень быстро запирался,у меня получалось запирать его в районе менее 20 нс ,можно сделать что бы он быстро открывался,получалось открывать быстрее чем за 10нс.Но вот сделать так чтоб он и быстро открывался и быстро закрывался ну...оочень затруднительно,у меня не желаемого результата добиться не получилось.Лучший результат у меня это открытие/закрытие 150нс при резисторе нагрузки 560 ом и амплитуде открытия 90% от напряжения питания.
При этом настройка схемы очень тонкая,если изменить значения какого либо из резисторов буквально процентов на 10 время на графике может поменяться чуть ли не на половину..как будто транз на своем физическом пределе работает..не знаю..
Короче,что мне нужно
Мне нужно ,что бы транзистор и открывался и закрывался за время не более 100 нс,лучше меньше,пусть будет с запасом допустим 50 нс.
Под временем открытия и закрытия я подразумеваю время от момента прихода сигнала на вход схемы,до момента получения соответствующего значения на выходе.
Что я подразумеваю под значением на выходе-на выходе может быть только 2 состояния ,1 транзистор закрыт(до 5% от напряжения питания) и второе транзистор открыт (более 90 % от напряжения питания) ,при этом резистор нагрузки не должен быть более 100 Ом ,напряжение питания схемы 12 вольт.
Собственно нужно понять в какую сторону смотреть,есть ли смысл применить СВЧ транзистор ,можно ли будет простым способом реализовать желаемое на нем?

Очень много слов для человека, который планировал изучить вопрос самостоятельно.
Настолько много, что объяснять ему что либо бессмысленно. Терминальный случай.

alkis3 писал(а):

Я не первый день в электронике в общем то и азы мне известны,ну это так уж отвечаю ,сам не знаю для чего....

Квинт-эссенция персонажа. Для характеристики более ничего и не нужно... :)))

А зачем давать характеристику кому то?Это же технический форум а не форум психологов..Я не понимаю почему у нас никто не пытается говорить по сути,вместо этого обсуждает личности...Вот я уже говорил,на англоязычных форумах такого я не видел..Я на фрик АВР например лет 10 назад сидел,задавал банальнейшие вещи с точки зрения того что знаю сейчас,я там ниодного плохого слова не услышал..На нашей же форумах..90% это...любая дискуссия это попытки доказать ,какой глупый твой оппонент и какой умный ты.То есть вместо стремления помочь..как вот на англоязычных,изыскания для себя моментов подняться в собственных глазах,за счёт унижения другова .почему так..не понимаю..

Вопрос по прежнему актуален,выслушаю любые предложения по сути дела .

alkis3 писал(а):

А зачем давать характеристику кому то?Это же технический форум а не форум психологов..Я не понимаю почему у нас никто не пытается говорить по сути,вместо этого обсуждает личности.......почему так..не понимаю..
.

Вот это ваше непонимание я готов объяснить.
Приходит сюда или на любой другой технический форум персонаж, который задает вопрос требующий для ответа специальных знаний. Но вместо того, чтобы принять ответ как есть и в попытке разобраться в непонятном в данном ему ответе изучить литературу и задать дополнительный вопрос, персонаж начинает нести отчаянную ахинею тоном и стилистикой человека, который почти все знает и имеет моральное право давать оценки отвечающим.
Милейший, вы тотально безграмотны в электронике. Умерьте свой гонор. Возможно вы научились паять и даже выучили несколько десятков терминов. И это не дает вам право возражать. Задавать дополнительные вопросы - да. Но не хамить.
Лично мне неприятно общаться с таким как вы. Полагаю, что большинству тех, кто в состоянии рассеять ваши заблуждения - тоже.

alkis3, Для быстрого закрывания транзистор не должен входить в насыщение никогда .
Для этого диод кремниевый последовательно с базой,
диод Шоттки с базового резистора и диода на коллектор.
Резистор Б-Э на своём месте. Кремниевый диод можно зашунтировать 10-100 пикоФ.
Ёмкость и сопротивление в коллекторной цепи минимальны. :solder:

Динозавр писал(а):диод кремниевый последовательно с базой,

Что за примочка? Не видел такого раньше.

>TEHb< писал(а):

Что за примочка?

Коллега немного попутал:

ЗЫ. В представленной симуляции источник сигнала имеет нулевое внутреннее сопротивление... :wink: