Влияние температуры на ПП-приборы.
Пт ноя 16, 2007 19:37:36
Я вот тут подумал на днях... Известно, что существенным недостатком полупроводников является сильная зависимость их проводимости от температуры. Причём ток через p-n переход будет возрастать именно при повышении температуры... А почему?
Ведь в этом случае должен увеличится барьерный потенциал, тогда результирующее напряжение p-n перехода уменьшиться, а значит и сила тока должна стать меньше... Даже если подойти к вопросу с другой стороны. Ток протекающий через p-n переход выражается формулой: I=I0*( e^(U/φ0)-1). При увеличении температуры, φ0 соответственно, значение I будет уменьшатся. Можно, конечно, предположить, что множитель I0 ( сила паразитного тока ) всё это компенсирует, но при "прямом" напряжении влияние паразитного тока очень незначительно. Неужели повышение температуры настолько его "активизирует"?..
Ведь в этом случае должен увеличится барьерный потенциал, тогда результирующее напряжение p-n перехода уменьшиться, а значит и сила тока должна стать меньше... Даже если подойти к вопросу с другой стороны. Ток протекающий через p-n переход выражается формулой: I=I0*( e^(U/φ0)-1). При увеличении температуры, φ0 соответственно, значение I будет уменьшатся. Можно, конечно, предположить, что множитель I0 ( сила паразитного тока ) всё это компенсирует, но при "прямом" напряжении влияние паразитного тока очень незначительно. Неужели повышение температуры настолько его "активизирует"?..
Последний раз редактировалось noname Incognito Пт ноя 16, 2007 19:40:55, всего редактировалось 1 раз.
Re: Влияние температуры на ПП-приборы.
Пт ноя 16, 2007 19:39:07
noname Incognito писал(а):А почему?
И в книгах не пишут ! Жуть.
Пт ноя 16, 2007 20:50:44
И в "курсе" под кнопочкой WWW ничего нет.. Жуть в квадрате! 
Пт ноя 16, 2007 21:26:55
Вообще-то в учебниках физики пишут, что проводимость увеличивается из-за увеличения концентрации носителей заряда, а на потенциале внимание почему-то не заостряют.