Барьерная и диффузионная емкость.
Чт ноя 08, 2007 20:03:54
В нете нашёл много информации по этой теме. Правда пишут везде практически идентично... Почитав пару источников так для себя точно и не уяснил:
1) КОНКРЕТНЫЕ составляющие барьерной и диффузионной ёмкостей.
2) Если разсматривать "ёмкость" как процес накопления, задержки заряда, то за счёт чего этот заряд удерживается в обоих типах этих емкостей. В случае с обычным конденсатором данный механизм понятен, как объяснить тут... Так и не разобрался.
P.S. Отдельный привет авторам статей, неужели тяжело объяснить так как это сам понимаеш, а не писать такими словами, что уже после двух предложений чувствуеш себя умственно-отсталым. Но это так... К теме не относящееся.
1) КОНКРЕТНЫЕ составляющие барьерной и диффузионной ёмкостей.
2) Если разсматривать "ёмкость" как процес накопления, задержки заряда, то за счёт чего этот заряд удерживается в обоих типах этих емкостей. В случае с обычным конденсатором данный механизм понятен, как объяснить тут... Так и не разобрался.
P.S. Отдельный привет авторам статей, неужели тяжело объяснить так как это сам понимаеш, а не писать такими словами, что уже после двух предложений чувствуеш себя умственно-отсталым. Но это так... К теме не относящееся.
Чт ноя 22, 2007 16:47:49
[url]http://ru.wikipedia.org/wiki/P_—_n-переход[/url]
[url][/url]
[url][/url]
Пт ноя 23, 2007 03:40:03
Смотри:
Возмем пластинку металла с n проводимостью и проволочку с p-проводимостью. Расплавим на конце проволочку и нагреем пластинку и воткнем проволочку в металл. Получится p-n переход. Еще одну проволочку воткнем с другой стороны. получится n-p-n переход.
Теперь, пластинка - база транзистора.
В результате того что произойдет перераспределение зарядов, у тебя получится область, которая проводит ток в одну сторону и не проводит в другую. Что жто означает? Что данная область является своего рода изолятором. А по бокам этой области слои, которые проводят элетрический ток. Все это напоминает конденсатор. Это и называется барьерной емкостью.
Диффузионная емкость обусловлена тем что в этой области существуют определенные заряды. А ток - есть движение заряженных частиц. Эти заряженные частицы не могут изменять направление и скорость мгновенно, т.е. создают препятствия при работе на ВЧ. Что и можно назвать диффузионной емкостью...
Возмем пластинку металла с n проводимостью и проволочку с p-проводимостью. Расплавим на конце проволочку и нагреем пластинку и воткнем проволочку в металл. Получится p-n переход. Еще одну проволочку воткнем с другой стороны. получится n-p-n переход.
Теперь, пластинка - база транзистора.
В результате того что произойдет перераспределение зарядов, у тебя получится область, которая проводит ток в одну сторону и не проводит в другую. Что жто означает? Что данная область является своего рода изолятором. А по бокам этой области слои, которые проводят элетрический ток. Все это напоминает конденсатор. Это и называется барьерной емкостью.
Диффузионная емкость обусловлена тем что в этой области существуют определенные заряды. А ток - есть движение заряженных частиц. Эти заряженные частицы не могут изменять направление и скорость мгновенно, т.е. создают препятствия при работе на ВЧ. Что и можно назвать диффузионной емкостью...
Пт ноя 23, 2007 17:33:03
По поводу барьерной ёмкости, то я, в принципе, ещё тогда понял. И если уж точно "паралелить" на конденсатор, то "диелектриком", "диполями" будет выступать область пространственного заряда полупроводника. Ну а всё что "снаружи" будет проводником. Ну так как вы ( можно на ты? ) и написали.
Теперь про диффузионную ёмкость. Причём здесь высокие частоты? То, что на высоких частотах появлется паразитная ёмкость - само-собой разумеется, это совсем другая тема.
Есть у меня теория, по которой с позитивно заряженными ионами n-полупроводника ( в приграничной зоне ) соседствуют свободные електроны, также как и с негативно заряженными ионами p-полупроводника соседствуют позитивно заряженные атомы. И вот эти паразитные свободные електроны и позитивно-заряженные атомы, возможно, и характеризуют диффузионную ёмкость. Но тогда как объяснить, что влияние этой ёмкости наибольше проявляется при прямом напряжении?
Теперь про диффузионную ёмкость. Причём здесь высокие частоты? То, что на высоких частотах появлется паразитная ёмкость - само-собой разумеется, это совсем другая тема.
Есть у меня теория, по которой с позитивно заряженными ионами n-полупроводника ( в приграничной зоне ) соседствуют свободные електроны, также как и с негативно заряженными ионами p-полупроводника соседствуют позитивно заряженные атомы. И вот эти паразитные свободные електроны и позитивно-заряженные атомы, возможно, и характеризуют диффузионную ёмкость. Но тогда как объяснить, что влияние этой ёмкости наибольше проявляется при прямом напряжении?
Сб ноя 24, 2007 02:51:17
noname Incognito писал(а):... Ну так как вы ( можно на ты? ) и написали....
Но такое описание не является подробным и займет гораздо больше времени. Кроме того оно не приводит к более быстрому описанию формул. Кроме того. Если читать о транзисторах то при последовательном внимательном прочтении все будет понятно.
noname Incognito писал(а):Теперь про диффузионную ёмкость. Причём здесь высокие частоты? То, что на высоких частотах появлется паразитная ёмкость - само-собой разумеется, это совсем другая тема.
А при том, что сопротивление конденсатора переменному напряжению зависит от его частоты. И чем выше частота, тем больше сопротивление. И когда говорят о емкостях, подразумевают относительно высокие частоты.
noname Incognito писал(а):Есть у меня теория, по которой с позитивно заряженными ионами n-полупроводника ( в приграничной зоне ) соседствуют свободные електроны, также как и с негативно заряженными ионами p-полупроводника соседствуют позитивно заряженные атомы. И вот эти паразитные свободные електроны и позитивно-заряженные атомы, возможно, и характеризуют диффузионную ёмкость. Но тогда как объяснить, что влияние этой ёмкости наибольше проявляется при прямом напряжении?
При том, что при приложении потенциала к переходу, возникает электрическое поле, которое начинает перетягивает ионы с соседних зон. Этим и объясняется.