Биполярные и полевые транзисторы

[HochReiter]

Продолжаем поднимать базовый ток. 1 мкА - 2.7 В, 2 мкА - 2.1 В, 3 мкА - 1.5 В, 4 мкА - 1.0 В, 5 мкА - 0.5 В, 6 мкА - 0.3 В, 7 мкА - 0.2 В и т. д. А теперь по этим точкам нарисуйте график зависимости напряжения на коллекторе от базового тока и всё станет видно невооружённым глазом: одна часть, другая часть и переход из одной части в другую - ни туда, ни сюда. Нарисуете - расскажу.

[31001ки]

намулевал. как мог

Вложения

8888777.png

(8.08 KiB) Скачиваний: 47

[HochReiter]

Сойдёт! Не хватает только трёх точек для 8, 9 и 10 мА и точки надо соединить между собой, чтобы получилась кривулина.

[31001ки]

правильно нарисовал?

Вложения

88887779.png

(6.47 KiB) Скачиваний: 45

[HochReiter]

Почти правильно. Только входной параметр (у нас ток базы) принято размещать по горизонтали, а выходной по вертикали. Я перевернул картинку и соединил точки линией. Теперь хорошо видно два участка: наклонный и горизонтальный. Наклонный - режим усиления: меняется ток базы, в соответствии с ним меняется напряжение на коллекторе. Горизонтальный - режим насыщения. Ток базы меняется, а напряжение на коллекторе - нет (вообще-то, почти не меняется, но на незначительное изменение можно не обращать внимания. Транзистор тут работает замкнутым выключателем.
Рассказал я не всё, жду вопросы.

Спойлер

[31001ки]

спасибо, интересно.
у меня другой вопрос.
можно ли, как-то, по информации приведенной в даташите судить о том какой могут быть длительности фронты использовав транзистор как ключ в схеме с общим эмиттером? как это оценить

[oldbulb]

31001ки
Время нарастания фронта зависит от массы причин, и транзистор здесь - не самая большая проблема. Для начала надо суметь загнать нужный фронт в имеющийся транзистор. Потом уже думать, как этот фронт от него получить на выходе. Озвучьте желаемое время нарастания.

[31001ки]

Добрый день
5 нС нужны фронты.можно меньше

[oldbulb]

31001ки
Полагаю, и схему хочется на одном транзисторе, типа "ключ с резистором в коллекторе" и алга? Собственно, с транзистором нет проблем, но могу только из советских что-то вспомнить - 2Т633А для умеренной нагрузки или 2Т939А для нагрузки помощнее. По импорту не шарю, надо искать всё, что выше 350 МГц и с ёмкостью коллектора не более 5-6 пФ.
В общем, тут надо возвращаться к пункту №1. Источник сигнала какой, и сможет ли он в этот транзистор вкачать пять наносекунд с приемлемым током базы или эмиттера.
А до кучи озвучить пункт №2. Для получения нужного фронта надо понимать, что там в нагрузке. Хотя по идее, лучше сразу делать для согласованной линии 50 Ом.

А почему бы не использовать AD8009? Классная же штука и весит всего пару грамм. У меня есть гена на 1 нс - так он весит 9 кг, гора металлолома.

Вообще имеет смысл собирать что-то похожее на базовый элемент К531 или, как вариант, сделать на полевиках имитацию К1554. Наше ТЗ строго фиксирует присутствие биполярного транзистора? Можно ли добавить в схему диоды Шоттки и ещё пару-тройку транзисторов?

[31001ки]

oldbulb, можно и на полевых транзисторах, если на них проще сделать быстродействующий ключ. И транзисторов может быть не один. Если есть схема как это сделать поделитесь. Спасибо

[12943]

Не просто есть схема, есть готовые устройства копеечной цены.
Предназначены именно для этого - для получения импульсов с фронтами заданной длительности.
Например: https://www.promelec.ru/fs/sources/db/4 ... 74e0bf.pdf

Беда в том, что повторить на дискретных элементах эти устройства ниуазможно, транзисторов таких нет.
Для ознакомления можно полистать: В.Л.Шило. Популярные цифровые микросхемы

[HochReiter]

31001ки, для чего нужен быстродействующий ключ? Если это не военная тайна, хотелось бы знать, чтобы не советовать что-то вслепую.

[oldbulb]

12943
Фронт/спад не более 2,5 нс, что такого особенного в этой микре, чего низзя сделать на транзисторах? Будет чудище огромно, стозевно и лайяй - но наносекунду даст, причём не абы какую, а на нагрузку 50 Ом. Но в целом я ЗА модные решения - если задача заключается не конкретно в изнасиловании биполярных транзисторов.

[31001ки]

HochReiter, конкретно пока ни для чего, просто интересно как это делается. поглядеть бы на схемы какие-то.
12943, микросхемы посмотрел. но они на 5В, а надо на 12, но интересно
oldbulb, как бы посмотреть на ключ этот транзисторный.
спасибо всем

[oldbulb]

31001ки
Ключа такого на транзисторах я не собирал, но есть заводские генераторы с формирователями на транзисторах, в серии Г5 и в серии И1, которые дают и наносекунду, и даже меньше, схемы и характеристики их есть в интернете. Но при 12 вольтах формирователь должен иметь приличную мощность и не менее приличную скорость нарастания (беру в расчёт работу на линию 50 Ом).
Если именно биполяры интересуют - посмотрите на схему базового элемента ТТЛШ серии К531/К1554 и масштабируйте под свои нужды.

[AlexS4]

ну да, вроде решаемо, например чтоб перезарядить 100pF на 12V за 1nS
нужен ток всего 1.2A. только надо имет ввиду что 100pF это на все, включая выходные емкости самих транзисторов.
и к току добавится активная составляющая нагрузки, если она есть.

[31001ки]

спасибо друзья

[12943]

oldbulb писал(а):

12943
Фронт/спад не более 2,5 нс, что такого особенного в этой микре, чего низзя сделать на транзисторах?

Ещё раз говорю: "особенного в этой микре" - те самые транзисторы из которых она состоит.
Сначала повтори её параметры на дискрете, потом скажешь, можно или низзя.

[oldbulb]

12943
Уже повторяли в прошлом веке. 2,5 нс - это не для начинающих, но это и не что-то заоблачное. Речь не о том, чтобы пойти на принцип и уделать микроэлектронику. Речь о том, что это было сделано и реально работало (и работает). А значит, это можно повторить. Зачем это делать сейчас - другой вопрос (ну делают же зачем-то детекторные приёмники).

[Gudd-Head]

Где надо было наносекундные фронты, мне понравилась идея управлять аналоговым мультиплексором, который коммутирует землю/питание.