Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
Ответить

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Вс окт 23, 2022 23:50:02

Динозавр
А почему крутизна 0,45? По справочнику от 1 до 2,6 мА/В. То есть, если считать, что максимум пришёлся на 1,5 кОм, то как раз и ожидается коэффициент передачи 0,8 при условии, что попался хороший транзистор. Но даже если посчитать наихудший вариант, то получается 0,6 - а я даже до 1/2 не дотянул. Надо будет пройтись по партии транзисторов и провести сравнительный анализ :D. Может, реально транзистор говно попался.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн окт 24, 2022 03:22:20

oldbulb, если каскад нагружен на чтото высокоимпедансное и проблему создает не нагрузка а емкость монтажа и канального перехода то можно просто поднять напряжение питания и увеличить резистор в стоке, либо, если питание трогать нельзя, нагрузить сток генератором тока, из такогоже транзистора например. если дело в нагрузке - то видимо нужен каскад - усилитель тока.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн окт 24, 2022 18:27:27

AlexS4
Увы, питание в этом эксперименте - единственный лимитированный ресурс, не считая того, что транзистор должен быть P-канальным. Вполне возможно, что есть более подходящие импортные P-канальники, но вот пробовал ZVP2106A - но у него такая ёмкость затвора, что просто ужас-ужас. На 10 МГц валит уже на затворе в 2-3 раза, про 20 МГц и разговору нет - уходит в нули.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн окт 24, 2022 21:11:50

oldbulb, а зачем емкость затвора шатать у генератора тока? пусть зарядится затвор до нужного напряжения и его просто зафиксироватьконденсатором.

и если емкость монтажа позволяет то необязательно же комплементарный...
вот что я имею ввиду:
Изображение
комплементарный вариант(справа) конечно лучше по чх но из-за того что транзисторы разные возникает проблемка подстройки. я не знал напряжение питания посему нарисовал самое универсальное, что можно заставить работать и при 3V но оно требует подстройки R2 из-за разброса начального тока кп301 и h21e биполярника.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн окт 24, 2022 21:24:45

AlexS4
Слишком много лишнего, нужен максимально простой истоковый повторитель, как в учебнике. В вашей схеме не совсем понял, как устанавливается смещение на затворе Q1. Он что, на земле сидит? КП301 работает с обогащением канала, при нулевом смещении сигнала на выходе нет, транзистор заперт насмерть.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн окт 24, 2022 22:01:45

а, да, точно индуцированный канал, начальный ток ~0.5uA,
тогда конечно нужно смещение (напр низ R3 перевесить на затвор Q1.)

Добавлено after 20 minutes 40 seconds:
Изображение
заменить Q2 на резистор конечно можно но это экономия ровно 2 компанентов (Q2,С2) и потеря усиления во многие разы.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Вт окт 25, 2022 18:11:25

AlexS4
Спасибо за предложение. Да что-то я так подумал - плюс-минус один резистор или транзистор, в общем, эту схему я отдельно обкатаю, но параллельно потестирую кучку КП301 на предмет крутизны.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Сб ноя 12, 2022 15:19:31

Здравствуйте, у меня такая проблема, я зелёный в этой всей теме, мне дали задание, сделать графики входных и выходных характеристик транзистора КТ815Б, я много видео посмотрел, и мне присмотрелся вариант с программой MicroCup, но там нет такого транзистора, я думал можно добавить его в библиотеку но не смог, подскажите, как сделать характеристику в данной программе по этому транзистору, и какой лучший аналог для него, и повлияет ли другие параметры на характеристику? Буду благодарен за помощь.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Сб ноя 12, 2022 16:39:55

Если нужно выполнить одно задание и нет интереса, то выгодно заплатить денег и получить готовое решение.
Если хочется сделать самостоятельно, то действуй активнее - есть руководства по Микрокапу, по LTspice, есть видеоурок.
LTspice гораздо проще в применении. Для построения ВАХ в LTs, нужно составить схему из трёх элементов и внести в табличку три значения.
Моделей советских транзисторов нет ни в одной программе, но есть в самодельных библиотеках. Для твоей задачи аналог - BD139.
Замена повлияет на ВАХ очень несущественно.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Сб ноя 12, 2022 21:17:31

Решил попробовать в LTSpice, подскажите что там за схема нужна и что за данные?

Добавлено after 2 hours 54 minutes 50 seconds:
Вот у меня вопрос, я нашел входную характеристику по своему транзистору, и аналоги не пришлось искать, как тут построить график кт815б так что бы он был как соседний график, тоесть вместо микроампер были милиамперы, ибо у меня Ik max 35 милиампер
https://img.radiokot.ru/files/151151/me ... hcbt41.jpg

https://img.radiokot.ru/files/151151/me ... hc0kgr.jpg
Фото графиков

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Вс ноя 13, 2022 05:12:14

Последняя попытка, если нет, готовь бабки:Изображение Изображение

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн ноя 14, 2022 15:58:03

Ребят, поясните пожалуйста.
Никак не могу въехать в схему простого источника тока на транзисторе. (схему прилагаю)
Посмотрел несколько видосов и всё равно что-то не складывается. Везде приводят кучу формул, и как расчитывается такая схема (а вот с этим нет проблем, могу расчитать без проблем.)
Я не могу понять саму "механику" обратной связи на эмиттерном резисторе.
Я понимаю, что коллекторный ток будет держаться при условии неизменного тока базы (соответсвенно и напряжения).
А вот почему они (Iб и Vбэ) не меняются не догоняю.
Конкретно, что происходит в момент смены сопротивления нагрузки?
Вот если растянуть во времени эти процессы. Например, сопротивление уменьшаем, ток коллектора должен увеличится, а дальше что...?
Поясните саму "механику" пожалуйста.
СпойлерИзображение

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн ноя 14, 2022 17:02:22

denisden80, тут еще круче источник тока :) , этот использует не почти горизонтальный наклон коллекторной вах
а то что напряжение на эмиттерном переходе мало зависит от напряжения на коллекторе.

другими словами:
1.напряжение на базовом делителе задается соотношением его резисторов и питанием и постоянно с точностью до тока базы
2.напряжение на эмиттерном резисторе будет пытаться поддерживаться = Vb - Vbe где Vbe при (почти)неизменных токах базы определяется свойствами перехода и температурой.
3. если мы например обеспечим Vb>>Vbe или скомпенсируем температурную нестабильность Vbe на стороне делителя то у нас получится довольно хороший генератор тока, намного более хороший чем просто коллекторная вах при фиксированном Ib.
в первом приближении I=(Vb-Vbe(T))/Re (с точностью до тока базы) грубо (Vb-0.6)/Re. из-за пологости выходной вах ток базы меняется крайне мало а значит его ответвление из тока резистора и влияние на напряжение эмиттерного перехода невелико а в сочетании с высоким h21e практически ничтожно. при термокомпенсации питания базы аналогичным эмиттерным переходом получаются великолепные источники под названием токовое зеркало 8)
Последний раз редактировалось AlexS4 Пн ноя 14, 2022 17:13:37, всего редактировалось 1 раз.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн ноя 14, 2022 17:16:14

А вот почему они (Iб и Vбэ) не меняются не догоняю.

Iб не меняется потому, что Uбэ поддерживается постоянным.

Добавлено after 4 minutes 49 seconds:
сопротивление уменьшаем, ток коллектора должен увеличится, а дальше что...?

Если есть понятие о внутреннем сопротивлении источника тока (напряжения), то всё очевидно:
поскольку внутреннее сопротивление источника, допустим, 100 кОм, то добавление последовательного сопротивления нагрузки в пределах от нуля до 1 кОм не может существенно повлиять на ток.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн ноя 14, 2022 18:34:07

AlexS4, ну вот опять формулы ))). Графически я тоже понимаю, как это работает. То, что эта "рабочая точка" как бы скользит по кривой тока базы. ( на графике выходных характеристик транзистора)
12943, а почему Uбэ поддерживается постоянно?
Вот как-нибудь на пальцах можно. Типа.... тут повышается, а здесь понижается, а вот здесь за счёт обратной связи не даёт повысится и т.д.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн ноя 14, 2022 19:24:17

denisden80
Uбэ не поддерживается постоянным. Uбэ являет собой ВАХ диода. Это напряжение допускается постоянным в весьма узком диапазоне изменения конкретного тока базы. Для того, чтобы уйти от нестабильности Uбэ, делитель в базе заменяют на источник опорного напряжения (вместо нижнего резистора 2 кОм), а резистор в цепи эмиттера (который 1 кОм) обеспечивает отрицательную ООС, вынуждая транзистор оставаться в конкретной рабочей точке. Поэтому и ток коллектора остаётся постоянным - транзистор никуда не скользит ни по каким кривым, он стоит в одной точке. Условно стоит, в соответствии с дрейфом Uопоры, температуры перехода и фазы Луны.
Просто собираете эту схему и снимаете её выходную характеристику - зависимость выходного тока от входного напряжения. Многое сразу прояснится.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн ноя 14, 2022 21:59:59

, а резистор в цепи эмиттера (который 1 кОм) обеспечивает отрицательную ООС, вынуждая транзистор оставаться в конкретной рабочей точке.

Вот здесь как раз мне не очень понятна работа оос. Ну вот например, когда объясняют работу ООС в ОУ, там понятно...., типа, ОУ пытается выровнять напряжение на своих входах, поэтому на выходе или повышает или понижает напряжение, ну и так далее...
А тут же ничего не меняется (имею ввиду ток базы и напряжения), но зато напряжения на коллекторе почему то растёт, Транзистор и не открывается дальше и не закрывается

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Пн ноя 14, 2022 23:08:05

denisden80
Забудьте про источник тока на время и нарисуйте схему эмиттерного повторителя. Вы понимаете, как там работает обратная связь? Дифференциальным каскадом ОУ, сравнивающим напряжение на входе с напряжением на выходе, является переход база-эмиттер.
Суммарное напряжений "база-эмиттер" + "падение напряжения на эмиттерном резисторе" равно напряжению между базой и общим проводом. Поэтому любое изменение напряжения на эмиттерном резисторе, вызванное дестабилизирующими факторами, вызовет изменение напряжения Uбэ в противоположную сторону. Понимаете, почему в противоположную?
Например, при нагреве транзистора и увеличении коллекторного (а значит и эмиттерного) тока падение напряжения на эмиттерном транзисторе резисторе увеличится, точно на такое же значение уменьшится напряжение база-эмиттер (ведь сумма этих напряжений - постоянна и определяется напряжением на базе относительно "земли"). Уменьшение Uбэ приведёт к возврату тока коллектора на прежнее значение, то есть, отрицательная обратная связь вызовет компенсацию воздействия дестабилизирующего фактора.
Кликабельно:
Изображение
Последний раз редактировалось oldbulb Вт ноя 15, 2022 19:14:49, всего редактировалось 1 раз.

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Вт ноя 15, 2022 06:13:07

oldbulb, да теперь понятно. А грубо говоря, когда мы в схему эмиттерного повторителя вводим сопротивление нагрузки, то это можно рассмотреть как дестабилизирующий фактор (ну точнее изменения сопротивления нагрузки)? Ну и основываясь на таком допущении тупо рассматривать схему как с ОЭ?

Re: Биполярные и полевые транзисторы

Вт ноя 15, 2022 19:24:35

denisden80
В эмиттерном повторителе нагрузка - это R3 в эмиттере. Если мы вводим резистор в коллектор, а в базу ставим источник опорного напряжения, то схема по отношению к этому коллекторному резистору превращается в схему с общей базой. У этой схемы высокое выходное сопротивление, что для источника тока является важным достоинством.
Схему с общим коллектором я привёл, как наиболее простую для понимания, как работает резистор R3 в эмиттере и что именно является дифкаскадом в единственном транзисторе на схеме.
Ответить